Система плазмохимического осаждения в трубчатой печи с 4-канальным контроллером массового расхода газа

Система включает радиочастотный плазменный источник мощностью 300 Вт, трубчатую печь с разрезной камерой наружным диаметром 80 мм и длиной 440 мм, газовый смесительный узел и механический вакуумный насос. Максимальная температура нагрева составляет 1200 °C, непрерывная рабочая температура — 200–1100 °C, рекомендуемая скорость нагрева — 10 °C/мин. Питание печи осуществляется от однофазной сети переменного тока 220 В; мощность печи составляет 5 кВт. Двухслойное принудительное воздушное охлаждение поддерживает температуру конструкции ниже 60 °C, а теплоизоляция из высокочистого волокна оксида алюминия снижает потери энергии. Трубка изготовлена из высокочистого кварца. Температурный контроль выполняется автоматически с тиристорным регулированием, точность поддержания температуры составляет ±1 °C. Предусмотрены защита от перегрева и обрыва термопары, настройка 30 сегментов температурно-временной кривой и хранение 8 температурных кривых. Вакуумная система с механическим насосом обеспечивает степень вакуума до 10 Па и оснащена вакуумными фланцами из нержавеющей стали и ручным клапаном; для ускоренного достижения высокого вакуума рекомендуется сильфон из нержавеющей стали. Газовый модуль оснащён электромагнитными клапанами, рассчитан на перепад давления 50–300 кПа, выдерживаемое давление 3 МПа и рабочую температуру 5–45 °C; применяются детали из нержавеющей стали 316 л.

Наименование производителя

1200℃ PECVD Equipment with 4 MFC Channels for Advanced Thin Film Coating and Nanomaterials Research-MG-T1200-PEC4LV, 300W 13.56MHz RF Generator for 50, 80 or 125 mm OD PECVD Tube Furnace - OTF-PECVD-RF