Система выращивания монокристаллов методом Чохральского с нагревом до 2100 °С

Система рассчитана на выращивание кристаллов диаметром до 50,8 мм. Верхнее прецизионное устройство взвешивания помогает управлять погружением затравки, расширением плеча и стабильным ростом. Механизм верхнего вытягивания имеет ход 200 мм, скорость вытягивания 0,03–30 мм/ч и скорость вращения 1–60 об/мин. Камера из нержавеющей стали с водяным охлаждением имеет размер Ø500 × 700 мм и работает совместно с вакуумным насосом, обеспечивающим предельный вакуум 3,75 × 10−5 торр. В камере предусмотрены смотровое окно 80 × 300 мм, газовые вход и выход размером 6,35 мм, механический мембранный манометр с диапазоном −0,1–0,5 МПа и предохранительный клапан с давлением менее 0,206843 бар. Пирометр измеряет температуру расплава в диапазоне 100–3000 °С. Индукционный нагрев имеет мощность 35 кВт, частоту 1–20 кГц и рабочий цикл 100 %. Верхняя система взвешивания с ПИД-регулированием рассчитана на нагрузку 5000 г с точностью 0,1 г. Встроенное программное обеспечение поддерживает многоступенчатое управление вытягиванием и вращением, мониторинг давления с сигнализацией, регулирование мощности нагрева и регистрацию данных. Тигель не входит в стандартную комплектацию; его максимальный размер составляет Ø100 × 80 мм. Для вакуумирования предусмотрены механический и турбонасос. Водяное охлаждение обязательно; для него рекомендуется чиллер с холодопроизводительностью 14,5 кВт, расходом воды 100 л/мин и резервуаром 75 л. Габариты установки для выращивания кристаллов составляют 1250 × 1150 × 2700 мм, блока управления — 565 × 800 × 1740 мм, источника индукционного питания — 700 × 400 × 835 мм, источника бесперебойного питания — 780 × 450 × 600 мм. Общая масса системы составляет 1200 кг.

Наименование производителя

Czochralski Crystal Growth System up to 2100°C-High Temperature Single Crystal Pulling Furnace-SKJ-50CZ