Артикул: 387-114
Модель: МСЯ-79(4Н)
Секция: Дополнительная
Полностью закрытая лазерная установка для обработки полупроводниковых материалов
Лазерная установка выполнена в полностью закрытом исполнении с пылезащитным кожухом. Такая конструкция помогает предотвратить загрязнение окружающей среды и снизить риск повреждения зрения оператора. Двумерный рабочий стол управляется компьютером и перемещается в соответствии с введённой графикой. Оборудование обеспечивает высокую выходную мощность, высокую точность обработки и высокую скорость работы. По заданной графике оно обрабатывает прямые и криволинейные контуры. После обработки рабочая деталь имеет аккуратный вид, а кромки реза получаются гладкими.
Задать вопрос Искать на Baidu
Какую задачу решает лазерная установка для обработки полупроводниковых материалов
Лазерная установка используется для нанесения рисок и резки металлических и полупроводниковых подложек, а также для обработки солнечных панелей, кремния, германия, арсенида галлия, керамики и алюминиевой фольги.
Характеристики МСЯ-79(4Н)
Модель (по базе 91Т)МСЯ-79(4Н)
Ключевые преимуществаавтоматический
Тип лазераволоконный лазер
Лазерная установка для обработки полупроводниковых материалов - гибкость поставки.
Нам известно, что каждый проект имеет свою специфику. Поэтому мы готовы рассмотреть адаптацию технических характеристик, типоразмеров и комплектации МСЯ-79(4Н) под ваши конкретные условия (силами исходного производителя либо нашего производства в России).
Нам известно, что каждый проект имеет свою специфику. Поэтому мы готовы рассмотреть адаптацию технических характеристик, типоразмеров и комплектации МСЯ-79(4Н) под ваши конкретные условия (силами исходного производителя либо нашего производства в России).
Дата последней проверки актуальности информации: 20.09.26
Производитель и технические характеристики подтверждены.
Люди, которые искали Лазерная установка для обработки полупроводниковых материалов, также смотрели:
+4 фотоТепловизионный прицел 384×288 с объективом 25 мм
Модель: УГФ-44(5Р)
Тепловизионный прицел оснащён неохлаждаемым инфракрасным фокальным детектором на основе оксида ванадия, шагом пикселя 12 мкм и диапазоном длин волн 8–14 мкм. Частота кадров составляет 50 Гц, фокусировка выполняется вручную. Видимое разрешение изображения — 1440×1080, диагональ дисплея — 9,906 мм. Ди
+4 фотоОдносторонний гидравлический домкрат сверхмалой высоты на 100 т, 700 бар, закрытая высота 85 мм
Модель: РБУ-19(9Х)
Односторонний гидравлический домкрат сверхмалой высоты изготовлен из легированной стали. Высота в закрытом состоянии составляет 85 мм, максимальная высота — 105 мм. Домкрат рассчитан на нагрузку 100 т и давление 700 бар. Источник питания — гидравлический.
+4 фотоБронированный многопроводный каротажный кабель
Модель: ГНУ-58(9А)
Каротажный кабель имеет медные проводники, пластмассовую изоляцию и броню из стальной проволоки. Такое исполнение рассчитано на эксплуатацию кабеля в экстремальных скважинных условиях при выполнении работ на глубине. Кабель предназначен для работы с высоким крутящим моментом и динамическим натяжение
+5 фотоУстановка для производства газообразного кислорода производительностью 3–2000 нм³/ч
Модель: ДГЕ-92(4М)
Установка предназначена для производства газообразного кислорода. Производительность составляет 3–2000 нм³/ч, напряжение — 220/380 В, масса — 3200 кг.