Термическая система атомно-слоевого осаждения с микроволновой плазмой

Система атомно-слоевого осаждения рассчитана на работу с подложками размером от 101,6 до 304,8 мм. Высота образца составляет 6 мм, также доступна возможность работы с образцами большей высоты. Температура подложки регулируется от комнатной температуры до 400 °C с точностью ±1 °C; предусмотрена опция повышения максимальной температуры. Система подачи прекурсоров оснащена двумя стандартными каналами с возможностью расширения до шести и более каналов. В качестве газа-носителя используются азот или аргон. Доступны непрерывный режим, режим остановки потока и режим настройки давления. Дополнительное оснащение включает перчаточный бокс, держатели для крупных и нескольких образцов, держатели для инкапсуляции частиц, генератор озона, систему мониторинга непосредственно в процессе, систему обработки выхлопа и специальные реакционные камеры. Показатель равномерности осаждения составляет менее ±1%. Электропитание осуществляется от сети 220 В, 15 А переменного тока, 50–60 Гц. Система размещена в стандартном металлическом шкафу со съёмными панелями и регулируемыми опорами. Габариты оборудования составляют 1100 × 600 × 1200 мм.

Наименование производителя

Thermal Atomic Layer Deposition (ALD) System - MG-ALD, Microwave Plasma Atomic Layer Deposition (ALD) System