Система плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы

Оборудование реализует параллельно-пластинчатую емкостную схему, в которой плазма активирует реакционноспособные газы и способствует химическим реакциям на поверхности подложки. Исходный газ ионизируется, а низкотемпературная плазма используется как источник энергии процесса. Система выполнена в виде однотрубной конструкции с ручной передней дверцей. Вакуумная камера и принадлежности изготовлены из нержавеющей стали 304, соединения выполнены аргонодуговой сваркой, поверхности обработаны стеклянной дробью, электрохимически отполированы и пассивированы. Камера оснащена смотровым окном и перегородкой с заслонкой; ее размер составляет 300 мм в диаметре и 300 мм по длине. Для размещения образца предусмотрена вращаемая платформа. Образец располагается снизу, а распылительная головка — сверху. Максимальная температура нагрева образца составляет 500 °C, точность регулирования температуры — ±1 °C. Диаметр распылительной головки равен 90 мм, расстояние между ней и образцом непрерывно регулируется в диапазоне 15–50 мм с отображением по шкале. Рабочий вакуум осаждения регулируется в пределах 13,3–133 Па. Источник питания имеет частоту 13,56 МГц, максимальную мощность 300 Вт и автоматическое согласование. Предельное давление после прогрева и дегазации составляет 8,0×10⁻⁵ Па при использовании молекулярного насоса производительностью 600 л/с и насоса предварительной ступени производительностью 4 л/с. Скорость утечки вакуумной системы не превышает 5,0×10⁻⁷ Па·л/с. От атмосферного давления до 8,0×10⁻⁴ Па система откачивается за 40 минут, а через 12 часов после остановки насоса давление не превышает 20 Па. Для эксплуатации необходимы температура окружающей среды 10–35 °C, относительная влажность не более 75 %, электропитание 220 В, однофазная сеть и частота 50±0,5 Гц. Потребляемая мощность оборудования составляет менее 4 кВт. Для водоснабжения требуются давление 0,2–0,4 МПа и температура воды 15–25 °C. Рабочая зона должна быть чистой, без пыли и газов, вызывающих коррозию электрических приборов или металлических поверхностей либо проводимость между металлами. Стандартная газовая конфигурация включает двухканальный контроллер расхода 100 см³/мин.

Наименование производителя

PECVD Plasma Enhanced Chemical vapor Deposition for Plasma-assisted Thin-film Coating, High Vacuum Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition System - VTC-PECVD